光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）