摻雜后，退火的目的是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。