由于顯影時的變形和膨脹,負性光刻膠通常只有2μm的分辨率。 正性光刻膠。
最新試題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
金屬化中可選用的金屬材料有()。
光刻工藝的設備核心是()。
目前制備SOI材料的主流技術有幾種?()
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子?()
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
封裝工藝中,銀漿固化的溫度為()。
光刻工藝的特點包括()。