光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。