芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）