硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。