金屬化中可選用的金屬材料有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設備構(gòu)成包括（）。