芯片粘接的工藝過程包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。