金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

化學(xué)機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。