碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。