硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。