多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。