下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。