光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。