下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

常壓的硅外延方法有（）。