摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）