問(wèn)答題什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？
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2.單項(xiàng)選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長(zhǎng)SiO2相比較，下面哪些說(shuō)法是正確的：（）。
1.熱生長(zhǎng)SiO2只能在Si襯底上生長(zhǎng)；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
4.填空題雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機(jī)構(gòu)：替位式擴(kuò)散和（）式擴(kuò)散。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題