單項(xiàng)選擇題

化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長(zhǎng)SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（）。 
1.熱生長(zhǎng)SiO2只能在Si襯底上生長(zhǎng)；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。

A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4

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