單項選擇題只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()
A、線缺陷
B、面缺陷
C、點缺陷
D、體缺陷
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1.單項選擇題硅單質(zhì)是()
A、半導(dǎo)體
B、導(dǎo)體
C、絕緣體
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最新試題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題