對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列是晶體的是（）。 

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；