最新試題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題