屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）