單項選擇題氯氧鎂水泥也稱()
A、普通水泥
B、氧化鎂水泥
C、菱苦土水泥
D、氯化鎂水泥
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1.單項選擇題二水石膏在800-1000℃下煅燒,所得高溫燃燒石膏磨成細粉即成為()
A、一水石膏
B、半水石膏
C、工業(yè)石膏
D、硬石膏膠凝材料
2.單項選擇題復合材料的()是其區(qū)別于傳統(tǒng)材料的根本特點之一
A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設計性
3.單項選擇題材料開發(fā)的歷史是結(jié)構(gòu)材料——功能材料——()
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復合材料
D、梯度材料
4.單項選擇題()是指對環(huán)境具有可感知,可自應并具有功能發(fā)現(xiàn)能力的新材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
5.單項選擇題水熱法是()反應,反映在高溫高壓下,以水為介質(zhì)進行的化學反應。
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題