單項(xiàng)選擇題材料開發(fā)的歷史是結(jié)構(gòu)材料——功能材料——（）
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復(fù)合材料
D、梯度材料
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1.單項(xiàng)選擇題（）是指對環(huán)境具有可感知，可自應(yīng)并具有功能發(fā)現(xiàn)能力的新材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
2.單項(xiàng)選擇題水熱法是（）反應(yīng)，反映在高溫高壓下，以水為介質(zhì)進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)。
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
3.單項(xiàng)選擇題（）用于成型大型的結(jié)構(gòu)復(fù)雜的薄壁制品。
A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
4.單項(xiàng)選擇題（）階段水解反應(yīng)很慢，又稱靜止期或潛伏期。一般維持2~4小時(shí)，是硅酸鹽水泥能在幾小時(shí)內(nèi)保持塑性的原因。
A、誘導(dǎo)期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
5.單項(xiàng)選擇題影響玻璃折射率的因素主要有三個(gè)，但不包括（）。
A、色散
B、玻璃的組成
C、溫度的影響
D、波長的影響
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題