單項選擇題復合材料的（）是其區(qū)別于傳統(tǒng)材料的根本特點之一
A、耐腐蝕性
B、耐用性
C、抗疲勞性
D、可設(shè)計性
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1.單項選擇題材料開發(fā)的歷史是結(jié)構(gòu)材料——功能材料——（）
A、靈巧材料
B、智能材料
C、復合材料
D、梯度材料
2.單項選擇題（）是指對環(huán)境具有可感知，可自應并具有功能發(fā)現(xiàn)能力的新材料
A、結(jié)構(gòu)材料
B、功能材料
C、智能材料
D、梯度材料
3.單項選擇題水熱法是（）反應，反映在高溫高壓下，以水為介質(zhì)進行的化學反應。
A、液相
B、水熱
C、還原
D、氧化
4.單項選擇題（）用于成型大型的結(jié)構(gòu)復雜的薄壁制品。
A、注漿法
B、浸漬法
C、氣相沉積法
D、熱壓法
5.單項選擇題（）階段水解反應很慢，又稱靜止期或潛伏期。一般維持2~4小時，是硅酸鹽水泥能在幾小時內(nèi)保持塑性的原因。
A、誘導期
B、加速期
C、衰減期
D、穩(wěn)定期
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題