下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）