單項選擇題筒壓法試樣加載時應(yīng)均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應(yīng)為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
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1.單項選擇題筒壓法取樣后使用手錘擊碎樣品時，應(yīng)篩取5~15mm的砂漿顆粒約（），烘干后冷卻至室溫備用。
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
2.單項選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應(yīng)從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
3.單項選擇題推出法旋轉(zhuǎn)加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
4.單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
5.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
最新試題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題