A.試件搬運過程中,應防止碰撞,并應采取減小振動的措施
B.應鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應適當鑿取試件底部砂漿,并應伸進撬棍,應將水平灰縫撬松動,然后應小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時,宜用草繩等材料緊密捆綁試件
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A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時,應測量3次,并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整,并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
硅片拋光在原理上不可分為()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
下列是晶體的是()。