單項(xiàng)選擇題原位雙剪法當(dāng)采用釋放時(shí)間上部壓應(yīng)力σ的測(cè)試方案時(shí),應(yīng)掏空試件頂部()之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
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1.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術(shù)指標(biāo)中示值相對(duì)誤差為()。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
2.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法同一墻體的各個(gè)測(cè)點(diǎn)之間,水平方向凈距不應(yīng)小于()。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
3.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法以下哪一部位可以布設(shè)測(cè)點(diǎn)()。
A.門、窗洞口側(cè)邊100mm范圍內(nèi)
B.門、窗洞口側(cè)邊110mm范圍內(nèi)
C.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
D.門、窗洞口側(cè)邊130mm
4.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法在測(cè)區(qū)內(nèi)選擇測(cè)點(diǎn)是,試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為()。
A.4-8mm
B.6-10mm
C.8-12mm
D.10-14mm
5.單項(xiàng)選擇題原位單剪法數(shù)據(jù)分析時(shí),應(yīng)根據(jù)測(cè)試儀表的校驗(yàn)結(jié)果,進(jìn)行荷載換算,并應(yīng)精確到()。
A.1N
B.5N
C.10N
D.15N
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題