單項選擇題筒壓法取樣后使用手錘擊碎樣品時，應(yīng)篩取5~15mm的砂漿顆粒約（），烘干后冷卻至室溫備用。
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
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1.單項選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應(yīng)從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項選擇題推出法旋轉(zhuǎn)加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
3.單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
4.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標(biāo)中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
5.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題