單項選擇題筒壓法在每一個測區(qū)，應(yīng)從距墻表面（）以里的水平灰縫中鑿取砂漿約4000g。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題推出法旋轉(zhuǎn)加荷桿對試件施加荷載時，加荷速度宜控制在（）。
A.2kN/min
B.4kN/min
C.5kN/min
D.8kN/min
2.單項選擇題切制試件法的測試步驟中，以下哪個不正確（）。
A.試件搬運(yùn)過程中，應(yīng)防止碰撞，并應(yīng)采取減小振動的措施
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿，并應(yīng)伸進(jìn)撬棍，應(yīng)將水平灰縫撬松動，然后應(yīng)小心抬出試件
D.需要長距離運(yùn)輸試件時，宜用草繩等材料緊密捆綁試件
3.單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標(biāo)中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
4.單項選擇題推出法選擇測點(diǎn)時被推丁磚下的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
5.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結(jié)普通磚、燒結(jié)多孔磚的砌筑砂漿強(qiáng)度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題