填空題硬質(zhì)合金是以（）和（）作為強(qiáng)化相而以鈷、鑷等金屬作粘結(jié)基體所形成的復(fù)合材料.
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
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改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)（）
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
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把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題