屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

下列是晶體的是（）。 

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

可用作硅片的研磨材料是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。