填空題金屬晶體通過()和()兩種方式來發(fā)生塑性變形。
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下列哪個不是單晶常用的晶向()
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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
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雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
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對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
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直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
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如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
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題型:單項選擇題