最新試題

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()

題型:單項選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。

題型:單項選擇題

下列是晶體的是()。 

題型:單項選擇題

與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()

題型:單項選擇題

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。

題型:單項選擇題

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()

題型:單項選擇題

對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。

題型:單項選擇題

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項選擇題