判斷題CMOS電路與雙極集成電路相比速度快。
您可能感興趣的試卷
最新試題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移?()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題