互連工藝中AL的制備可選用（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

光刻工藝的特點包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。