多項選擇題對非標(biāo)準(zhǔn)試件砼軸心抗壓強(qiáng)度值尺寸換算系數(shù)正確的有（）。

A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為1.05
B、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×300mm棱柱體試件為0.95
C、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為0.95
D、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×400mm棱柱體試件為1.05


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2.多項選擇題對砼棱柱體試件軸心抗壓強(qiáng)度值表述正確的有（）。

A、同組3個試件測值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時，該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個試件測值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中，最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。

3.多項選擇題以下關(guān)于200×200×400mm砼棱柱體試件軸心抗壓強(qiáng)度試驗加荷速度的描述符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有（）。

A、＜C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒32.0～40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa

4.多項選擇題以下關(guān)于砼軸心抗壓強(qiáng)度試驗加荷速度的描述符合標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有（）。

A、＜C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、A、B、C選項都對

5.多項選擇題對非標(biāo)準(zhǔn)試件砼抗壓強(qiáng)度值尺寸換算系數(shù)正確的有（）。

A、小于C60強(qiáng)度等級的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強(qiáng)度等級的砼應(yīng)由試驗確定

最新試題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

題型：單項選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

題型：單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

題型：單項選擇題

下列是晶體的是（）。 

題型：單項選擇題

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題型：單項選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

題型：單項選擇題

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：單項選擇題