A、邊長100mm的C40級砼加荷速度取每秒5.0~8.0kN
B、邊長150mm的C70級砼加荷速度取每秒18.0~22.5kN
C、邊長200mm的C20級砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
D、邊長200mm的C40級砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
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A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒6.75~11.25kN
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒11.25~18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒18.00~22.50kN
A、<C30強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、強(qiáng)度等級越高,加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時間
C、拌合物攪拌加水時間
D、拌合物拌制完成時間
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時,該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()