A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
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A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的恒溫、恒濕環(huán)境
B、室內(nèi)陰涼場(chǎng)所
C、結(jié)構(gòu)或構(gòu)件鄰近區(qū)域砂堆中
D、遮陽的屋檐下
A、溫度20±2℃、相對(duì)濕度95%以上的室內(nèi)
B、溫度20±2℃的不流動(dòng)的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動(dòng)的醋酸溶液中
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實(shí)器具拔出時(shí)要緩慢,拔出后不得留有孔洞
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內(nèi)不得少于12次
A、塌落擴(kuò)展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
PN結(jié)的基本特性是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()