多項選擇題以下()環(huán)境條件是砼試件標準養(yǎng)護條件。
A、溫度20±2℃、相對濕度95%以上的室內
B、溫度20±2℃的不流動的Ca(OH)2飽和溶液中
C、溫度20±2℃的清水中
D、溫度20±2℃的不流動的醋酸溶液中
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題以下()操作描述是區(qū)別于搗棒人工搗實法的插入式振搗棒振實砼試件的典型步驟。
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、搗實器具拔出時要緩慢,拔出后不得留有孔洞
2.多項選擇題以下()操作描述是區(qū)別于振動臺等機械振實法的搗棒人工搗實砼試件的典型步驟。
A、拌合物一次裝入試模
B、拌合物分兩層裝入試模
C、用橡皮錘輕輕敲擊試模四周,以消除之前步驟在表面留下的空洞
D、每層插搗次數(shù)按在10000mm2截面積內不得少于12次
3.多項選擇題以下()稠度的砼試件宜采用振動振實。
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
4.多項選擇題以下()稠度的砼試件宜采用搗棒人工搗實。
A、塌落擴展度550mm
B、維勃稠度25s
C、塌落度40mm
D、塌落度140mm
5.多項選擇題試驗室拌制砼拌合物時,稱量精度為±0.5%的砼拌合材料有()。
A、外加劑
B、水泥
C、石子
D、水
最新試題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項選擇題