利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。