半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？