根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

什么是MOS器件的體效應？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。