MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。