根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。