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蒸發(fā)鍍膜中電阻加熱源可分為直接加熱源和間接加熱源,其中直接加熱源的加熱體和待蒸發(fā)材料的載體為同一物體;而間接加熱源是把待蒸發(fā)材料放入坩堝中進(jìn)行間接加熱。
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判斷題
離子注入工藝中入射離子能量低于臨界能量時(shí)核阻止本領(lǐng)占主導(dǎo),高于臨界能量時(shí)電子阻止本領(lǐng)占主導(dǎo)。
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判斷題
有限表面源擴(kuò)散與離子注入的雜質(zhì)分布都滿足高斯函數(shù),兩種摻雜工藝雜質(zhì)最高濃度位置都在硅片表面。
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