MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。