填空題特大規(guī)模集成電路(ULIC)對(duì)光刻的基本要求包括()、()、()、()、()等五個(gè)方面。
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什么是MOS器件的體效應(yīng)?
題型:問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
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集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)?
題型:問答題
由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施?
題型:問答題
硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
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從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā),版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項(xiàng)選擇題