微電子學(xué)章節(jié)練習(xí)(2019.12.02)
來源:考試資料網(wǎng)1.問答題描述投影掩膜版和光掩膜版的區(qū)別?
參考答案:投影掩膜版它包括了要在硅片上重復(fù)生成的圖形。這種圖形可能僅包含一個(gè)管芯,也可能是幾個(gè)光掩膜版通常稱為掩膜版,包含了對(duì)于整...
參考答案:硅平面晶體管或集成電路掩模版的制作,一般地講,要經(jīng)過原圖繪制(包括繪總圖和刻分圖)、初縮、精縮兼分步重復(fù)、復(fù)印陰版和復(fù)印...
3.問答題列舉并描述薄膜生長的三個(gè)階段。
參考答案:第一步是晶核形成:成束的穩(wěn)定小晶核形成,這一步發(fā)生在起初少量原子或分子反應(yīng)物結(jié)合起來,形成附著在硅片表面的分離的小膜層的...
參考答案:該區(qū)的少子擴(kuò)散長度;線性分布
參考答案:為了降低體電阻
參考答案:挑戰(zhàn):
①高深寬比的金屬層間接觸孔需要點(diǎn)擊一層銅阻擋層以防止銅擴(kuò)散,這個(gè)阻擋層需要良好的側(cè)壁和底層階梯覆蓋、優(yōu)...
①高深寬比的金屬層間接觸孔需要點(diǎn)擊一層銅阻擋層以防止銅擴(kuò)散,這個(gè)阻擋層需要良好的側(cè)壁和底層階梯覆蓋、優(yōu)...
參考答案:多子;少子
參考答案:可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層;高溫使得雜質(zhì)向硅中移動(dòng);可使注入引入的損傷得到修復(fù);使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價(jià)...
10.問答題為什么要進(jìn)行顯影后檢查?
參考答案:為了查找光刻膠中成形圖形的缺陷,鑒別并除去有缺陷的硅片,用來檢查光刻工藝的好壞,為光學(xué)光刻工藝生產(chǎn)人員提供用于糾正的信息...